电子束直写

名称：电子束直写

• 资产编号：2018050922
• 型号：Raith PIONEER Two
• 所属单位：物理学院
• 使用性质：科研
• 联系人：吴祎玮
• 放置地点：103光子材料制备实验室

主要规格及技术指标

• * 热场发射电子枪（TFE） * 可调节高压：20eV-30keV * 电子束流： 5pA-20nA * 电子束束斑：<=1.6nm * 图形发生器频率：6Mhz * 最小直写线宽：<=8nm * 写场面积:100μm×100μm * 写场拼接误差: <=50nm * 套刻精度: <=50nm * 可放置的样品最大尺寸：25mm×25mm

主要功能及特色

• * 聚焦后的高斯电子书照射在表面涂有电子束光刻胶的样品，并进行偏转扫描，光刻胶与电子束进行光刻反应，经显影定影后在样品表面得到设计的微纳结构。 * 进一步配合等离子刻蚀实现硅基及砷化镓、磷化铟等光子微纳结构和器件制备。 * 进一步配合金属蒸镀，利用Lift off工艺实现金属微纳结构